東芝デバイス&ストレージは、耐圧(阻止電圧)が+100Vと高いフォトリレーを発売した(ニュースリリース)。同社最新のプロセス技術「U-MOSVIII」で製造したトレンチ型MOSFETを採用することで、阻止電圧を同社従来品の+40Vから新製品では+100Vに引き上げた。このため応用先が広がり、AC(交流)24~48VやDC(直流)+24~100Vを利用する産業機器に使えるようになったとする。具体的な応用先は、プログラマブル・ロジック・コントローラー(PLC)や、入出力(I/O)インターフェース機器、センサー制御機器、ビルオートメーション機器、半導体自動テスト装置などである。

4端子DIPに封止した+100V耐圧のフォトリレー
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
[画像のクリックで拡大表示]

 パッケージは、外形寸法が6.4mm×4.58mm×3.65mm(端子部を除く)の4端子DIP。入出力間の絶縁耐圧は±5kVrms。オン電流は連続時に2Aで、パルス時に6Aである。同社によると「4端子DIP封止品で、+100Vの阻止電圧、2Aのオン電流、±5kVrmsの絶縁耐圧を実現したのは業界初」という。

 新製品の型番は「TLP241B」である。赤外光LEDとフォトMOSFET(受光素子とMOSFET)を光結合させた製品だ。ノーマリーオープン(1a接点)である。安全規格は、「UL 1577」「CSA Component Acceptance Service No.5A ファイルNo.E67349」「EN 60747-5-5」を取得済み。新製品のこのほかの主な仕様は以下の通り。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。

新製品の主な仕様
(出所:東芝デバイス&ストレージ)
[画像のクリックで拡大表示]