米ON Semiconductor(オン・セミコンダクター)は、オン抵抗が低い+650V耐圧のSiCパワーMOSFETを4製品発売した(ニュースリリース)。4製品いずれもnチャネル品である。「薄型のSiCウエハーを採用することなどでオン抵抗を低く抑えた。オン抵抗と面積の積で求める単位面積当たりのオン抵抗(特性オン抵抗)は、業界で最も低い」(同社)という。具体的なオン抵抗の値は、製品によって異なるが、最も低いもので12mΩ(ゲート-ソース間電圧が+18Vのときの標準値)である。

 発売した4製品のうち、「NVBG015N065SC1」と「NVH4L015N065SC1」は車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。オンボード充電器(OBC)や車載用DC-DCコンバーター、トラクション用インバーターなどに向ける。残る2製品である「NTBG015N065SC1」と「NTH4L015N065SC1」は産業機器向け。具体的な応用先は、無停電電源装置(UPS)や太陽光発電システム用インバーター、サーバー用電源ユニット、通信機器向けスイッチング電源などを挙げている。

低オン抵抗の650V耐圧SiC MOSFET
(出所:ON Semiconductor)
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 オン抵抗が12mΩと低いのは、車載機器向けの2製品である。ただし、パッケージは異なる。NVBG015N065SC1のパッケージは7端子D2PAKで、NVH4L015N065SC1は4端子TO-247である。例えば、NVBG015N065SC1のこのほかの特性は以下の通り。最大ドレイン電流は連続時に145A、パルス時に422A。全ゲート電荷量は283nC(標準値)。入力容量は4689pF(標準値)。出力容量は424pF(標準値)。帰還容量は37pF(標準値)である。参考単価は、NVBG015N065SC1が13.6663米ドルで、NVH4L015N065SC1が13.9997米ドルである。

 産業機器に向けたNTBG015N065SC1は、パッケージが7端子D2PAKで、オン抵抗が15.3mΩ(ゲート-ソース間電圧が+18Vのときの標準値)。NTH4L015N065SC1はパッケージが4端子TO-247で、オン抵抗が15.6mΩ(同上)である。参考単価はどちらも13.9997米ドルである。