米Alpha and Omega Semiconductor(AOS)は、小型のDFNパッケージに封止したスーパージャンクション(SJ:Super Junction)型のパワーMOSFETを3製品発売した(ニュースリリース)。いずれも同社のスーパージャンクション型パワーMOSFET製品ファミリー「αMOS5」に含まれるものだ。nチャネル品である。3製品の内訳は、実装面積が8mm×8mmのDFNに封止した+600V耐圧品「AONV210A60」と、実装面積が5mm×6mmのDFNに封止した+700V耐圧品「AONS660A70F/AONS1R6A70」である。例えば、実装面積が8mm×8mmのDFN封止品は、パワーMOSFETの一般的なパッケージであるD2PAKと比較すると実装面積を約61%削減できる。さらに、実装面積が8mm×8mmのDFNは0.75mmと薄いため、D2PAKに比べると実装高さを67%低くすることが可能だ。急速充電器やACアダプターのほか、パソコンやサーバー、通信機器、データセンター機器などのスイッチング電源などに向ける。

小型DFNパッケージ封止したスーパージャンクション型パワーMOSFET。Alpha and Omega Semiconductorのイメージ
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 AONV210A60の最大ドレイン電流は、連続時に20A、パルス時に80A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに190mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は34nC(標準値)。入力容量は1935pF(標準値)。出力容量は55pF(標準値)。帰還容量は1.25pF(標準値)。ゲート抵抗は5Ω(標準値)である。

 AONS660A70Fの最大ドレイン電流は、連続時に9.6A、パルス時に34A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに550mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は14.5nC(標準値)。入力容量は900pF(標準値)。出力容量は23pF(標準値)。帰還容量は1.4pF(標準値)。ゲート抵抗は2Ω(標準値)である。

 AONS1R6A70の最大ドレイン電流は、連続時に4.6A、パルス時に15A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.3Ω(標準値)。全ゲート電荷量は8nC(標準値)。入力容量は354pF(標準値)。出力容量は12pF(標準値)。帰還容量は1.3pF(標準値)。ゲート抵抗は7.3Ω(標準値)である。

 3製品いずれも、すでに量産を始めている。1000個購入時の米国での参考単価は、AONV210A60が2.7米ドル、AONS660A70Fが1.05米ドル、AONS1R6A70が0.72米ドルである。