米Alpha and Omega Semiconductor(A&O)は、+600V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFETの新製品を発売した ニュースリリース 。同じパッケージに封止した従来品に比べて、オン抵抗を約40%低くした。これによって、機器の電源回路の導通損失を抑えられ、変換効率を高められる。

低背サーバー用電源に向けたスーパージャンクション型パワーMOSFET
低背サーバー用電源に向けたスーパージャンクション型パワーMOSFET
(出所:Alpha and Omega Semiconductor)
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 新製品は、実装面積が8mm×8mmで実装高さが0.9mmと低い、5端子DFNパッケージ(DFN8×8)に封止している。応用先は、1U(44.45mm)や0.5U(22.225mm)といった低背サーバーに向けた電源モジュールや、太陽光発電用マイクロインバーター装置、小型薄型のACアダプターなどである。これらの応用先において、アクティブブリッジ整流器や、力率改善(PFC)回路、フライバックコンバーター、LLC共振コンバーター、インバーター(DC-ACコンバーター)といったトポロジーの回路で使う。

 新製品は、同社の高耐圧SJ型パワーMOSFETファミリー「αMOS5」の一員で、型番は「AONV110A60」。nチャネル品である。最大ドレイン電流は、連続時に35A、パルス時に140A。全ゲート電荷量(Qg)は72nC(標準値)。出力容量の損失エネルギー(EOSS)は8.1μJである。ケルビンソース接続を採用しており、寄生インダクタンスの影響を回避できる。このため出力ノイズや放射電磁ノイズ(EMI)を抑えられるという。すでに販売を始めている。1000個購入時の参考単価は3.96米ドルである。

 このほか、同じDFN8×8パッケージ封止で、オン抵抗が140mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)のSJ型パワーMOSFET「AONV140A60」を併せて発売した。nチャネル品である。最大ドレイン電流は連続時に28A、パルス時に100A。全ゲート電荷量は44nC(標準値)。出力容量の損失エネルギー(EOSS)は6.3μJである。すでに販売を始めている。1000個購入時の参考単価は3.36米ドルである。