米ON Semiconductor(オンセミ)は、高速スイッチングに対応した+900V耐圧と+1200V耐圧のSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFETを発売した(ニュースリリース)。最大ドレイン電流やオン抵抗などの特性のほか、パッケージが異なる23種類の製品を用意した。いずれもnチャネル品である。今回の新製品では、チップ寸法を小型化して入力容量や出力容量、ゲート電荷量などを削減した。このため、高周波動作時のスイッチング損失が低減され、スイッチング周波数を高められる。太陽光発電用インバーター装置や、電気自動車(EV)の車載充電器(オンボードチャージャー)、無停電電源装置(UPS)、サーバー用スイッチング電源、充電ステーションなどに向ける。

高速スイッチングに対応した+1200V耐圧SiCパワーMOSFETのパッケージであるTO-247。
ON Semiconductorの資料
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 +1200V耐圧品の中で最大ドレイン電流(連続時)が最も大きい製品は「NTHL020N120SC1」で、103A。+900V耐圧品では「NTHL020N090SC1」で、118Aである。例えば、前者のNTHL020N120SC1の特性は以下の通り。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+15Vのときに20mΩ(標準値)と低い。ゲート電荷量は196nC(標準値)と少ない。入力容量は4415pF(標準値)。出力容量は296pF(標準値)。帰還容量は24pF(標準値)。ターンオン時の遅延時間は40ns(標準値)、ターンオフ時は55ns(標準値)。スイッチング波形の立ち上がり時間は63ns(標準値)、立ち下がり時間は13ns(標準値)。ターンオン時のスイッチング損失は2025μJ(標準値)、ターンオフ時は201μJ(標準値)である。パッケージはTO-247。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃である。

 パッケージはTO-247のほかにD2PAKを用意した。米国での参考単価は、同社のWebサイトの製品紹介ページによると、NTHL020N120SC1が16.3329米ドル、NTHL020N090SC1が13.1997米ドルである。