韓国サムスン(Samsung Electronics)は、SoCに続いてDRAMメモリーの製造にもEUV露光の適用を始めた。同社は第4世代10nmクラスのプロセス(D1a)にEUV露光を採用し、同プロセスを使って製造したDDR4型DRAMを集積するモジュールを、100万個出荷したという(ニュースリリース)。

Samsungの半導体工場
Samsungの写真
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 同社は10nmクラスのプロセスでのDRAM量産を2016年2月に始めた。このプロセスが10nmクラスの第1世代(D1x)。第2世代(D1y)での量産は2017年11月、第3世代(D1z)での量産は2019年9月に始まった。今回、発表された第4世代のD1aは、14nmクラスとされる。

 D1aで製造されたDDR4型DRAMの顧客評価は完了しており、プレミアムPCやモバイル機器、エンタープライズサーバー、データセンターアプリケーションなどへ、EUV露光プロセスで製造するDRAMが採用される道を開いたとする。

SamsungのDRAM製造の歩み
Samsungの表
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 今回出荷されたDDR4型DRAMモジュールは基本的に評価用で、D1aのDRAM量産への適用は、2021年に造り始める16GビットDDR5/LPDDR5型からになる。D1aでの量産効率は、D1xの2倍になるという。

 同社はまた、旺盛なDRAM需要に応えるため、2020年下期に韓国平沢(ピョンテク)市にある2番目の半導体製造工場の操業を開始することも発表した。