富士通セミコンダクターメモリソリューションは、+125℃動作保証のFRAM(Ferroelectric Random Access Memory)ファミリーに、1.8Vの低電圧で動作する「MB85RS2MLY」を追加した(ニュースリリース)。メモリー容量は2Mビットで、インターフェースはSPIである。現在、評価サンプルを提供中で、2020年6月に量産品を出荷する予定。

新製品の2MビットFRAM「MB85RS2MLY」
(写真:富士通セミコンダクターメモリソリューション)
[画像のクリックで拡大表示]

 同社は2017年以降、+125℃動作の車載向けFRAM製品として、3.3Vや5V動作の64K~2MビットのFRAMを提供してきた(関連記事「+125℃動作保証で5V電源電圧のFRAM、富士通セミコンが開発」)。最近になって、ADAS(先進運転支援システム)向けの先進的な自動車用ECUでは低消費電力の電子部品の要求が強まり、一部の顧客は1.8Vや1.7Vで動作する部品を望んでいるという。そうした顧客の要求に応える不揮発性メモリーとして、動作電源電圧範囲が1.7~1.95Vの新製品を開発した。

 新製品の動作温度範囲は、-40~+125℃。この温度範囲において10兆回のデータ書き換えを保証する。この書き換え回数が保証されているため、新製品はリアルタイムなデータ記録に適しているという。車載半導体向け信頼性試験の「AEC-Q100グレード1」に準拠する。動作周波数は最大50MHzである。パッケージは、EEPROMと互換性をもった業界標準の8ピンSOPに加えて、リード無しで5.0×6.0×0.9mmの8ピンDFNも用意する。