オランダNexperia(ネクスペリア)は、外形寸法が0.62mm×0.62mm×0.37mmと小さい3端子DFN0606パッケージに封止したMOSFET「PMHファミリー」を発売した(ニュースリリース)。同社によると、「実装面積が同程度の競合他社品に比べるとオン抵抗を約60%削減した」という。実装面積を0.62mm×0.62mmに小型化したものの、端子間の間隔(ピッチ)は0.35mmを確保した。このため、「一般的なプリント基板用アッセンブリー技術を使って実装できる」(同社)としている。リレーの駆動回路(ドライバー)や、ラインドライバー、ローサイドの負荷スイッチ、スイッチング回路などに向ける。具体的な応用先は、ウエアラブル機器や携帯型電子機器などである。

オン抵抗を60%削減したDFN0606封止のMOSFET。
Nexperiaのイメージ
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 トレンチMOSFET技術で製造した。極性や耐圧、オン抵抗などの違いで9製品を用意した。内訳は、nチャネル品が5製品、pチャネル品が4製品である。nチャネル品のうち、+20V耐圧品が2製品、+30V耐圧品が2製品、+60V耐圧品が1製品。pチャネル品のうち、−20V耐圧品が2製品、−30V耐圧品が2製品。オン抵抗の範囲は260m〜2100mΩ(ゲート-ソース間電圧が±4.5Vのときの標準値)である。

 例えば、オン抵抗が260mΩと低い+20V耐圧のnチャネル品「PMH260UNE」の特性は以下の通りである。最大ドレイン電流は1.2A。ゲート-ソース間のしきい値電圧は最小値が+0.45Vで、最大値が+0.95V。全ゲート電荷量は0.63nC(標準値)。入力容量は41pF(標準値)。出力容量は10pF(標準値)。帰還容量は7pF(標準値)ゲート抵抗は11.2Ωである。静電気放電(ESD)耐圧は、人体帯電モデル(HBM)で±2kVを確保した。

 9製品いずれも動作温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。価格は明らか