トレックス・セミコンダクターは、リレー回路やスイッチング回路などに向けたnチャネル型MOSFETの品ぞろえを拡充した(ニュースリリース)。今回発売したのは、+30V耐圧の「X23xシリーズ」が4製品、+60V耐圧の「X26xシリーズ」が2製品である。いずれも特徴は「オン抵抗が低いことと、高速なスイッチング特性を実現したことにある」(同社)という。パッケージは、外形寸法が2.1mm×1.25mm×0.95mmと小さいSOT-323-3Aである。

リレー回路やスイッチング回路などの用途に向けたnチャネル型MOSFET。トレックス・セミコンダクターの写真
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 +30V耐圧の4製品は、最大ドレイン電流(連続時)が異なる。最大0.2Aの「XP231N02013R」と、最大0.3Aの「XP232N03013R」、最大0.5Aの「XP233N05013R」、最大0.8Aの「XP234N08013R」である。例えば、最大0.2AのXP231N02013Rの特性は以下の通り。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに3Ω(標準値)、+2.5Vのときに5.5Ω(標準値)。全ゲート電荷量は0.18nC(標準値)。入力容量は6.5pF(標準値)。出力容量は2.5pF(標準値)。帰還容量は1.2pF(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は7ns(標準値)で、ターンオフ時は20ns(標準値)。立ち上がり時間は5ns(標準値)。立ち下がり時間は8ns(標準値)である。

 

 +60V耐圧の2製品も、最大ドレイン電流(連続時)が異なる。最大1.5Aの「XP261N70023R」と、最大3.0Aの「XP262N70023R」である。例えば、最大1.5AのXP261N70023Rの特性は以下の通り。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに3Ω(標準値)、+4.5Vのときに3.5Ω(標準値)。全ゲート電荷量は0.38nC(標準値)。入力容量は18pF(標準値)。出力容量は4.5pF(標準値)。帰還容量は1.5pF(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は9ns(標準値)で、ターンオフ時は30ns(標準値)。立ち上がり時間は4ns(標準値)。立ち下がり時間は9ns(標準値)である。

 すでに量産を始めている。参考単価は6製品いずれも100円(税別)である。