東芝デバイス&ストレージは、オン抵抗が低い車載機器向けパワーMOSFETを4製品発売した(ニュースリリース)。4製品の内訳は、+40V耐圧の「XPN3R804NC」と「XPN7R104NC」、+60V耐圧の「XPN6R706NC」と「XPN12006NC」である。いずれもnチャネル型。オン抵抗(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)は、XPN3R804NCが3.8mΩ、XPN7R104NCが7.1mΩ、XPN6R706NCが6.7mΩ、XPN12006NCが12.0mΩと低い。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。車載機器に搭載するDC-DCコンバーター回路やモーター駆動回路などに向ける。

低オン抵抗の車載機器向け40V/60V耐圧MOSFET
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パッケージは4製品いずれも、実装面積が3.3mm×3.6mmと小さいTSON Advance(WF)に封止した。このパッケージは、ウェッタブルフランク構造を採るため、プリント基板に実装した状態で自動光学検査装置(AOI)を使って外観検査できる。パッケージに収めたMOSFETチップは、同社独自のMOSFETプロセス技術「U-MOSVIII-H(ユー・モス・エイト・エイチ)」で製造した。

 オン抵抗が3.8mΩの+40V耐圧品であるXPN3R804NCの最大ドレイン電流は、連続時に40A、パルス時に80A。全ゲート電荷量は35nC(標準値)。入力容量は2230pF(標準値)。出力容量は1250pF(標準値)。帰還容量は110pF(標準値)。ゲート抵抗は2.4Ω(標準値)。最大動作チャネル温度は+175℃。チャネル-ケース間の過渡熱インピーダンスは1.5℃/W(最大値)。オン抵抗が6.7mΩの+60V耐圧品であるXPN6R706NCの最大ドレイン電流は連続時に40A、パルス時に80A。全ゲート電荷量は35nC(標準値)。入力容量は2000pF(標準値)。出力容量は1000pF(標準値)。帰還容量は130pF(標準値)。ゲート抵抗は2.3Ω(標準値)。最大動作チャネル温度は+175℃。チャネル-ケース間の過渡熱インピーダンスは1.5℃/W(最大値)である。

 すでに、4製品すべて販売を始めている。価格は明らかにしていない。