米Diodes(ダイオーズ)は、実装面積が3.3mm×3.3mmと小さいデュアルMOSFET「DMN3012LEG」を発売した(ニュースリリース)。nチャネルMOSFETを2個集積したもので、ハーフブリッジ構成を採る。パッケージは、同社独自の「PowerDI 3333-8 Type D」である。ディスクリートのMOSFETを2個使用する場合に比べて、プリント基板上の実装面積を約50%削減できるという。同期整流方式を採用した降圧型DC-DCコンバーターや、POL(Point Of Load)コンバーター、パワーマネジメント回路などに向ける

実装面積が3.3mm×3.3mmと小さいデュアルMOSFET
Diodesのイメージ
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 LDMOS(Lateral Diffused MOS)プロセス技術で製造した。2つのMOSFETどちらも耐圧は+30V。最大ドレイン電流は連続時に20A。パルス時は、ハイサイドスイッチ(Q1)が70A、ローサイドスイッチ(Q2)が100Aである。オン抵抗はハイサイドスイッチ(Q1)が12mΩ、ローサイドスイッチ(Q2)が6mΩ(どちらもゲート-ソース間電圧が+5V時の最大値)。全ゲート電荷量はハイサイドスイッチ(Q1)が6.1nC(最大値)、ローサイドスイッチ(Q2)が12.6nC(最大値)。ターンオン時とターンオフ時の遅延時間がいずれも短いことが特徴という。ターンオン時の遅延時間はハイサイドスイッチ(Q1)が5.1ns(標準値)、ローサイドスイッチ(Q2)が4.4ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間はハイサイドスイッチ(Q1)が6.4ns(標準値)、ローサイドスイッチ(Q2)が12.4ns(標準値)である。動作温度範囲は−55〜+150℃。すでに販売を始めている。1000個購入時の参考単価は0.589米ドルである。