トレックス・セミコンダクターは、外形寸法が2.1mm×1.25mm×0.95mmと小さいSOT-523パッケージに封止した−30V耐圧のpチャネル型パワーMOSFET「XP231P02015R」を発売した(ニュースリリース)。特徴は、「オン抵抗が低く、高速なスイッチング特性を実現した点にある」(同社)という。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が−4.5Vのときに5Ω(最大値)である。小型化が求められる電子機器に搭載するリレー回路やスイッチング回路などに向ける。

2.1mm×1.25mm×0.95mmと小さいSOT-523パッケージに封止した−30V耐圧pチャネル型パワーMOSFET
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 最大ドレイン電流は、連続時に−0.2A、パルス時に−0.4Aである。ゲート-ソース間電圧が−2.5Vのときのオン抵抗は8Ω(最大値)。ゲートのしきい値電圧は最小値が−1.2Vで、最大値が−0.5Vである。入力容量は34pF(標準値)。出力容量は7pF(標準値)。帰還容量は2.5pF(標準値)。スイッチング特性については、ターンオン時の遅延時間が15ns(標準値)で、ターンオフ時が80ns(標準値)。立ち上がり時間は20ns(標準値)。立ち下がり時間は45ns(標準値)である。静電気放電(ESD)への対策に向けてゲート保護用ダイオードを内蔵した。このダイオードの順方向電圧降下は−0.8V(標準値)である。最大動作接合部温度は+150℃。すでに量産を始めている。参考単価は100円(税別)である。