伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロエレクトロニクス)は、スーパージャンクション(SJ:Super Junction)型パワーMOSFETの新製品「MDmesh M9/DM9シリーズ」を開発した ニュースリリース 。新製品の特徴は、MOSFETセルの単位面積あたりのオン抵抗が低いことである。同社によると、「当社従来品のMDmesh M5シリーズと比べると、同オン抵抗を約2/3に低減した」という。スイッチング電源に適用すれば電力損失を低減でき、変換効率を高められる。応用先の機器は、データセンター向けサーバーや5G無線通信基地局、テレビなどである。

MOSFETセルの単位面積あたりのオン抵抗を約2/3に低減したSJ型パワーMOSFET
MOSFETセルの単位面積あたりのオン抵抗を約2/3に低減したSJ型パワーMOSFET
新製品の名称は「MDmesh M9/DM9シリーズ」。新シリーズの最初の製品として、「STP65N045M9」(右)と「STP60N043DM9」(左)を発売した。(出所:STMicroelectronics)
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 新製品MDmesh M9シリーズとMDmesh DM9シリーズの違いは、内蔵ダイオードの有無にある。MDmesh M9シリーズは内蔵していないが、MDmesh DM9シリーズは内蔵した。それぞれのシリーズで最初の製品を1つずつ、今回発表した。MDmesh M9シリーズの最初の製品は+650V耐圧の「STP65N045M9」で、MDmesh DM9シリーズの最初の製品は+600V耐圧の「STP60N043DM9」である。オン抵抗は、前者が45mΩで、後者が43mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)。全ゲート電荷量は前者が80nC(標準値)で、後者が78.6nC(標準値)。パッケージはどちらもTO-220である。

 STP65N045M9とSTP60N043DM9はどちらも、すでに量産を始めている。1000個購入時の参考単価は、STP65N045M9が約6.30米ドル。STP60N043DM9の参考単価は明らかにしていない。今後同社は、表面実装型パッケージに封止した製品などを22年後半に追加する予定である。