米pSemiは、100M〜8.5GHzと広い周波数帯域で使用できるRFスイッチICを発売した。単極双投(SPDT:Single Pole Double Throw)タイプである。2.4GHz帯と5GHz帯に加えて6GHz帯(5.935G〜7.125GHz)を利用する無線LAN規格「W-Fi 6E」や、UWB(Ultra Wide Band)規格などに準拠した無線通信機器に向ける。

周波数帯域が100M〜8.5GHzと広いRFスイッチIC
(出所:pSemi)
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 製造プロセスは、RF用途に向けた同社独自のSOI(Silicon On Insulator)技術「UltraCMOS」である。基板にはサファイアを使用する。このためSOS(Silicon On Sapphire)プロセス技術とも呼ばれる。さらに、集積したFETのリニアリティー(直線性)を高める同社独自技術「HaRP」を採用した。

新製品の内部ブロック図
(出所:pSemi)
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 新製品の型番は「PE42424」である。特徴は、対応する周波数帯域が広いことに加えて、スイッチング時間が145ns(標準値)と短いことにある。このため125kHzと高いスイッチング周波数で動作させることが可能だ。RF入力とRF出力の間のアイソレーション特性は2.4GHz時に48dB、5.8GHz時に35dB。RF入力の第3次インターセプトポイント(IIP3)は61dBm(標準値)。RF入力の1dB利得圧縮ポイント(P1dB)は40dBm(6.0G〜8.5GHzにおける標準値)である。

 扱えるRF入力電力はパルス時に39dBm、連続時に30dBm。電源電圧は+2.3〜5.5Vで、消費電流は130μA(標準値)である。パッケージは、実装面積が1.5mm×1.5mmと小さい6端子DFN。動作温度範囲は−40〜+105℃である。すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。