米Vishay Intertechnology(ビシェイ・インターテクノロジー)は、+30V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを2個内蔵したモジュール「SiZF300DT」を発売した(ニュースリリース)。2個のパワーMOSFETは、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチとして機能する。すなわちハーフブリッジ回路を構成できる。ハイサイドスイッチには同社独自の「TrenchFET Gen IV」を、ローサイドスイッチには同社独自の「SkyFET」を採用した。同社は発売したモジュールを「PowerPAIR」と呼ぶ。このほか、ショットキー・バリアー・ダイオードも内蔵した。

+30V耐圧のnチャネル型パワーMOSFETを2個内蔵したモジュール
Vishay Intertechnologyのイメージ
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 最大の特徴は、実装面積が3.3mm×3.3mmと小さいパッケージに封止した点にある。同社によると、「オン抵抗が同程度のモジュール品の実装面積は6mm×5mmが一般的だった。今回の新製品に置き換えれば、実装面積を約65%削減できる。さらに実装面積が同じ競合他社品に比べると、オン抵抗を低減できる上に、最大出力電流を11%高められる」という。POL(Point Of Load)コンバーターや、同期整流方式のDC-DCコンバーター(バックコンバーター)などに向ける。具体的な応用先は、グラフィックカードやアクセラレーターカード、パソコン、サーバー、通信機器、RFネットワーク機器などである。

 ハイサイドスイッチ(CHANNAEL-1)の最大ドレイン電流は連続時に75A、パルス時に150A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに4.5mΩ(最大値)で、+4.5Vのときに7.0mΩ(最大値)。全ゲート容量は6.9nC(標準値)。入力容量は1100pF(標準値)、出力容量は530pF(標準値)、帰還容量は40pF(標準値)である。ローサイドスイッチ(CHANNAEL-2)の最大ドレイン電流は連続時に141A、パルス時に200A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.84mΩ(最大値)で、+4.5Vのときに2.57mΩ(最大値)。全ゲート容量は19.4nC(標準値)。入力容量は3150pF(標準値)、出力容量は1550pF(標準値)、帰還容量は170pF(標準値)である。

 動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。