米Qorvoは、最大出力電力が150Wと大きいRFパワーアンプIC「QPA3070」を開発した(ニュースリリース)。すでに一部のユーザーに向けて出荷を始めている。SiC(炭化ケイ素)基板の上にGaN(窒化ガリウム)デバイスを成長させる「GaN on SiC」技術で製造した。対応する周波数帯域は2.9G〜3.5GHz。同社によると、「この周波数帯域にRFパワーアンプICで出力電力が150Wに達するのは業界で初めて。競合他社品と比較すると出力電力を50%増やした」という。Sバンド(2G〜4GHz)に対応したフェーズド・アレー・レーダーや防衛用電子機器(電子戦)などに向ける。

最大出力電力が150Wと大きいGaNパワーアンプIC
Qorvoのイメージ
[画像のクリックで拡大表示]

 飽和出力電力(Psat)は52dBm。電力付加効率(PAE)は58%と高い。電力利得は28dBである。パッケージは表面実装に対応しており、外形寸法は7mm×7mm×0.85mmである。DC(直流)テストとRFテストを全製品に対してウエハーの状態で実行し、電気的仕様を保証している。価格は明らかにしていない。