米Alpha and Omega Semiconductorは、実装高さが0.3mmと薄いバッテリー(電池)保護用MOSFET「AOCR32326/AOCR36330」を発売した(ニュースリリース)。2個の+30V耐圧MOSFETをバック・ツー・バック接続したものだ。同社が独自開発したパッケージ「RigidCSP」を採用することで、0.3mmの薄さを実現した。同社によると、「バック・ツー・バック接続したMOSFETでは、一般的なWLCSPを使うと基板の抵抗分が占める割合が大きくなってしまう。基板を薄くすれば抵抗を減らせるが、機械的な強度が大幅に低下する。その結果、リフロー実装時にMOSFETダイが反ったり、割れたりする問題が発生していた」という。技術的な詳細は明らかにしていないが、同社が開発したRigidCSPを使えば、機械的な強度を低下させることなく、実装高さを薄くすると同時にオン抵抗を削減できるとしている。スマートフォンやタブレット端末、超薄型のノートパソコンなどに向ける。

実装高さが0.3mmと薄いバッテリー保護用MOSFET
Alpha and Omega Semiconductorのイメージ
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 AOCR32326とAOCR36330の違いは実装面積にある。AOCR32326の実装面積は6.0mm×2.5mm、AOCR36330は6.22mm×2.5mmである。2製品どちらも。ドレイン-ソース間の耐圧は+30V。ゲート-ソース間電圧は±20Vである。AOCR32326のソース-ソース間オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに2.6mΩ(最大値)。+8Vのときに2.9mΩ(最大値)。+4.5Vのときに4.2mΩ(最大値)。AOCR36330は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.4mΩ(最大値)。+8Vのときに1.6mΩ(最大値)。+4.5Vのときに2.8mΩ(最大値)である。全ゲート電荷量は、AOCR32326が142nC (標準値)、AOCR36330が128nC(標準値)である。動作接合部温度範囲は2製品どちらも−55〜+150℃。1000個購入時の参考単価は、AOCR32326が1.44米ドル、AOCR36330が1.50米ドルである。