米Alpha and Omega Semiconductorは、+12V電源ラインのホットスワップ(活線挿抜)に向けた電源制御スイッチ用パワーMOSFET「AON32310」を発売した(ニュースリリース)。特徴は、「オン抵抗が低く、安全動作領域(SOA:Safe Operating Area)が広いことにある。このため、ホットスワップ時に発生する大きな突入電流に耐えられる」(同社)という。耐圧は+30Vで、nチャネル品である。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに0.73mΩ(最大値)、+4.5Vのときに1.08mΩ(最大値)と低い。ホットスワップ用電源制御スイッチのほか、電子ヒューズ(eFuse)やORing回路などに向ける。

+12V電源ラインのホットスワップに向けた電源制御スイッチ用パワーMOSFET
Alpha and Omega Semiconductorのイメージ
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 トレンチ構造のパワーMOSFETである。最大ドレイン電流は連続時に400A、パルス時に1500Aと大きい。ゲート-ソース間電圧の絶対定格は±20V。ゲートのしきい値は、最小値が+0.8Aで、最大値が+1.8V。全ゲート電荷量は240nC(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの標準値)。入力容量は1万5350pF(標準値)。出力容量は1430pF(標準値)。帰還容量は900pF(標準値)。ゲート抵抗は1.3Ω(標準値)。ボディーダイオードの逆回復時間は20nC(標準値)、逆回復電荷量は65nC(標準値)。ターンオン時の遅延時間は17ns(標準値)、ターンオフ時は150ns(標準値)。立ち上がり時間は16.5ns(標準値)。立ち下がり時間は35ns(標準値)である。パッケージは、実装面積が5mm×6mmの8端子DFN(DFN5×6)。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。1000個購入時の参考単価は1.26米ドルである。