ロームは、4端子パッケージであるTO-247-4Lに封止したSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET「SCT3xxx xRシリーズ」を発売した(ニュースリリース)。ソース端子をパワーソース端子とドライバーソース端子の2つに分けたうえで、ゲート端子とドレイン端子と合わせて4端子構成とした。従来の3端子パッケージ封止品では、ソース端子が持つ寄生インダクタンス成分によってゲート電圧の低下が発生し、スイッチング速度が遅くなり、スイッチング損失の増大を招いていた。新製品では、ソース端子を2つに分けることで、寄生インダクタンス成分の影響を抑えた。同社によると、「3端子パッケージ封止品に比べると、スイッチング損失を約35%減らせる。特にターンオン時のスイッチング損失を大幅に低減できる」という。サーバーや無線通信基地局、太陽光発電用インバーター、蓄電システム、電気自動車の充電ステーションなどに向ける。

ソース端子をパワーソース端子とドライバーソース端子の2つに分けることで、寄生インダクタンス成分の影響を抑えた。ロームの資料
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 トレンチゲート構造のSiCパワーMOSFETチップを内蔵した。+1200V耐圧品を3製品、+650V耐圧品を3製品用意した。例えば、+650V耐圧の「SCT3030AR」の特性は以下の通り。最大ドレイン電流は、連続時に70A、パルス時に175A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+18Vのときに30mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は104nC(標準値)。入力容量は1526pF(標準値)。出力容量は89pF(標準値)。帰還容量は42pF(標準値)。ドレイン損失は262Wである。+1200V耐圧の「SCT3080KR」の最大ドレイン電流は、連続時に55A、パルス時に137A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+18Vのときに40mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は107nC(標準値)。入力容量は1337pF(標準値)。出力容量は76pF(標準値)。帰還容量は27pF(標準値)。ドレイン損失は262Wである。量産は、月産50万個規模で2019年8月に開始した。サンプル価格は2100円(税別)からである。