三菱電機は、第5世代移動通信システム(5G)の基地局ネットワークに向けて、データ伝送速度が100Gビット/秒(bps)の半導体レーザー「ML770B64」を開発し、2020年10月1日にサンプル出荷を始める(ニュースリリース)。新製品は電界吸収型変調器を集積した半導体レーザー(EML:Electro-absorption Modulator Laser)であり、これを直径が5.6mmと小さいTO-56CANパッケージに封止した。同社は新製品を「100Gbps EML CAN」と呼ぶ。変調方式にPAM4(4 Level Pulse Amplitude Modulation)を採用することで、100Gビット/秒と高いデータ伝送速度を実現した。同社によると、「外形寸法が小さいTO-56CANパッケージに封止したEMLで、100Gビット/秒を達成したのは業界初」という。5G基地局ネットワークの光トランシーバーに向ける。

第5世代移動通信システム(5G)の基地局ネットワークに向けた100Gビット/秒(bps)の半導体レーザー
三菱電機の写真
[画像のクリックで拡大表示]

 発振波長の標準値は1310nm、最小値は1304.5nm、最大値は1317.5nmである。光出力は+10dBm(標準値)を確保した。消光比は5dB(標準値)。EMLの動作温度を一定に保つ熱電変換素子を小型化することで、その消費電力を0.4W(+95℃時の標準値)に低減した。このため「EML全体の消費電力を当社従来品に比べて60%低減した」(同社)という。動作温度範囲は−40~+95℃。「TO-56CANパッケージを採用したため、光トランシーバーの構成部品である1芯双方向光モジュールの組み立てが容易になる」(同社)としている。サンプル価格はオープンである。