米Efficient Power Conversion(EPC)は、オン抵抗が3.2mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの最大値)と低い+100V耐圧のGaNパワートランジスタ(FET)「EPC2218」を発売した(ニュースリリース)。同社は、「eGaN(enhancement mode Gallium Nitride on Silicon)パワーFET」と呼ぶ。特徴は、同社従来品と比べると、最大ドレイン電流を増やしたと同時に、オン抵抗を約20%削減した点にある。最大ドレイン電流は、連続時に60A、パルス時に231Aと大きい。具体的な応用先は、+48V出力の同期整流回路や、D級(クラスD)オーディオアンプ回路、DC-DCコンバーター、自律運転自動車やロボットに向けたLiDAR(Light Detection And Ranging)などである。

オン抵抗が3.2mΩと低い100V耐圧GaN FET
Efficient Power Conversionのイメージ
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 ゲートのしきい値電圧は、最小値が+0.8V、最大値が+2.5Vである。入力容量は1189pF(標準値)。出力容量は562pF(標準値)。帰還容量は4.3pF(標準値)。全ゲート電荷量は10.5nC(標準値)である。ゲート抵抗は0.4Ω(標準値)。逆回復電荷量はゼロである。実装面積は3.5mm×1.95mm。GaN FETダイに表面保護膜(パッシベーション膜)を形成した後、8本のはんだバー(棒)を取り付けた状態で出荷する。動作温度範囲は−40~+150℃。2500個購入時の参考単価は2.09米ドル。発売したEPC2218を2個使ってハーフブリッジ回路を構成した開発ボード「EPC90123」を用意した。参考単価は118.75米ドルである。

 このほか、オン抵抗が5.6mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの最大値)の+100V耐圧GaNパワートランジスタ「EPC2204」を併せて発売した。実装面積は1.5mm×2.5mmと、前述のEPC2218に比べると小さい。このためオン抵抗はEPC2218よりも若干大きいが、全ゲート電荷量は6.4nC(標準値)と少ない。最大ドレイン電流は、連続時に29A、パルス時に125A。入力容量は644pF(標準値)。出力容量は304pF(標準値)。帰還容量は2.3pF(標準値)。ゲート抵抗は0.4Ω(標準値)。逆回復電荷量はゼロである。GaN FETダイに表面保護膜(パッシベーション膜)を形成した後、6本のはんだバー(棒)を取り付けた状態で出荷する。動作温度範囲は−40~+150℃。2500個購入時の参考単価は0.99米ドル。EPC2204を2個使ってハーフブリッジ回路を構成した開発ボード「EPC9097」を用意した。参考単価は118.75米ドルである。