米Alpha and Omega Semiconductor社は、実装面積が9.8mm×11.68mmと小さいTOLL(TO-Leadless)パッケージに封止した+60V/+100V耐圧パワーMOSFETを発売した(ニュースリリース)。TO-263(D2PAK)封止品と比較すると、実装面積を30%削減でき。さらに、最大ドレイン電流を350〜400Aと増やしたため、並列に接続するパワーMOSFETの個数を減らせるようになる。通信機器のホットスワップ(活線挿抜)用スイッチや、負荷スイッチ、バッテリー用保護スイッチ、モーター駆動用スイッチなどに向ける。

実装面積が9.8mm×11.68mmと小さいTOLLパッケージに封止した+60V/+100V耐圧パワーMOSFET。Alpha and Omega Semiconductorのイメージ
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 内蔵したパワーMOSFETチップは、同社独自のプロセス技術「Shield-Gate Technology (SGT)」で製造した。今回発売したのは3製品である。内訳は、+60V耐圧の「AOTL66608」と「AOTL66610」、+100V耐圧の「AOTL66912」。3製品いずれも、nチャネル品である。AOTL66608の最大ドレイン電流は400A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに0.85mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は205nC(標準値)。AOTL66610の最大ドレイン電流は350A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.2mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は103nC(標準値)。AOTL66912の最大ドレイン電流は380A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに1.7mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は155nC(標準値)である。

 同社従来品に比べて、「SOA(Safe Operating Area)を広げた」(同社)という。 3製品いずれも最大接合部温度範囲は−55〜+175℃。すでに量産を始めている。1000個購入時の米国での参考単価は、AOTL66608が4.1米ドル、AOTL66610が2.3米ドル、AOTL66912が4.56米ドルである。