東芝デバイス&ストレージは、Liイオン2次電池パックの保護回路に向けたMOSFET「SSM6N951L」を発売した(ニュースリリース)。2個のnチャネル型MOSFETをドレイン電極共通で接続したものだ。耐圧は+12Vである。特徴は、ソース-ソース間のオン抵抗が4.6mΩ(ゲート-ソース間電圧が+3.8Vのときの標準値)と低いことに加えて、ゲート漏れ電流が±1μA(最大値)と少ないことである。このため、電力損失を低く抑えられると同時に、待機時の消費電力を減らして電池駆動時間を延ばせるという。オン抵抗を抑えられる専用の製造プロセスを開発することで実現した。具体的な応用先は、スマートフォンやタブレット端末、モバイルバッテリー(パワーバンク)、ウエアラブル機器、携帯型ゲーム機、電動歯ブラシ、デジタル・スチル・カメラ、デジタル一眼レフカメラなどである。

 最大ソース電流は連続時に8A、パルス時に80Aである。ゲートしきい値電圧は最小値が+0.35V、最大値が+1.4V。ゲート入力電荷量は26nC(標準値)。ゲート-ソース間の電荷量は9nC(標準値)。ゲート-ドレイン間の電荷量は8nC(標準値)。ターンオン時の遅延時間は1.1μs(標準値)で、ターンオフ時は4.5μs(標準値)。立ち上がり時間は1.4μs(標準値)。立ち下がり時間は3.0μs(標準値)である。パッケージは、外形寸法が2.14mm×1.67mm×0.11mmと小さい6端子CSPである。「電池パック内部の限られた空間でも実装できる」(同社)という。最大動作チャネル温度は+150℃。すでに販売を開始している。インターネット通販サイトにおける1個購入時の参考価格は1.15米ドルである。

Liイオン2次電池パックの保護回路向けMOSFET「SSM6N951L」の内部構成
東芝デバイス&ストレージの資料
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