米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、ハーフブリッジ回路構成の電力変換段(パワーステージ)モジュール「SiZ240DT」を発売した(ニュースリリース)。nチャネル型の+40V耐圧パワーMOSFETを2つ使って構成した。特徴は、性能指数(FOM:Figure Of Merit)が優れていることだ。FOMは、オン抵抗と全ゲート電荷量の積であり、低ければ低いほど性能が高い。同社によると、「新製品のFOMは、現在市場で入手できるFOMが最も低い競合他社品よりも14%低い。このため、電源回路に適用すれば、スイッチング周波数と変換効率の両方を高められる」という。実装面積が3.3mm×3.3mmと小さい8端子の表面実装型パッケージに封止した。同社は「PowerPAIR 3 x 3S」パッケージと呼ぶ。同期整流方式の降圧(バック)型DC-DCコンバーター回路や、ワイヤレス充電回路、スイッチング電源(AC-DCコンバーター)回路、POL(Point Of Load)コンバーター回路などに向ける。具体的な応用機器は、通信機器やサーバー、モーター駆動機器などである。

ハーフブリッジ回路構成の電力変換段モジュール
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 同社のパワーMOSFET向けプロセス技術「TrenchFET Gen IV」で製造した。チャネル1のパワーMOSFETはハイサイドスイッチ(制御スイッチ)として、チャネル2のパワーMOSFETはローサイドスイッチ(同期スイッチ)として機能する。チャネル1のパワーMOSFETのオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに8.05mΩ(最大値)、+4.5Vのときに12.25mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに6.9nC(標準値)。チャネル2のパワーMOSFETのオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに8.41mΩ(最大値)、+4.5Vのときに13.30mΩ(最大値)。全ゲート電荷量は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vのときに6.5nC(標準値)である。

 動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでにサンプル出荷と量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。