米Efficient Power Conversion(EPC)は、オン抵抗が6.8mΩ(ゲート-ソース間電圧が+5Vのときの標準値)と低い+170V耐圧のGaNパワートランジスタ(FET)「EPC2059」を発売した(ニュースリリース)。同社は、「eGaN(enhancement mode Gallium Nitride on Silicon)パワーFET」と呼ぶ。同社が+170V耐圧のGaN FETを製品化するのは今回が初めて。スイッチング電源やACアダプターといったAC-DCコンバーターの2次側同期整流回路に向ける。「出力電力が100W〜6kWのAC-DCコンバーターに適用できる」(同社)。具体的な応用機器は、+48〜56Vの入力電圧に対応したハイエンドサーバーやデータセンター機器のほか、ゲーム用デスクトップパソコンや液晶テレビ、LED照明器具などである。例えば、デスクトップパソコンに適用した場合、電源モジュールの消費電力に関する標準規格「80PLUS」の最上位グレードである「TITANIUM」(100%負荷時の変換効率が90%以上)をクリアできるという。

オン抵抗が6.8mΩと低い+170V耐圧GaN FETと応用機器の例
Efficient Power Conversion(EPC)のイメージ
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 最大ドレイン電流は、連続時が24A、パルス時が102A。全ゲート電荷量は5.7nC(標準値)と少ない。入力容量は633pF(標準値)。出力容量は267pF(標準値)。帰還容量は1.6pF(標準値)。ゲート抵抗は0.5Ω(標準値)。逆回復電荷量はゼロである。実装面積は2.8mm×1.4mm。GaN FETダイ上に表面保護膜(パッシベーション膜)を形成した後、6本のはんだバー(棒)を取り付けた状態で出荷する。動作温度範囲は−40~+150℃。2500個購入時の参考単価は1.59米ドルである。

 新製品を2個使ってハーフブリッジ回路を構成した開発ボード「EPC9098」を用意した。入力電圧は最大+135V。スイッチングノードにおける最大電圧は+170Vで、最大出力電流は17Aである。ボードの面積は50.8mm×50.8mm。参考単価は118.75米ドルである。