米Marktech Optoelectronicsは、光の検出範囲が250n〜1750nmと広いフォトディテクターモジュール「MT03-041/MT03-047」を発売した(ニュースリリース)。短波長側の光の検出を担当するSi(シリコン)フォトディテクターと、長波長側の光の検出を担当するInGaAs(インジウム・ガリウム・ヒ素)フォトディテクターを1つのパッケージに収めることで実現した。紫外光(UV)や可視光(VIS)、近赤外光(NIR)、短波長赤外光(SWIR)をすべて検出可能だ。同社によると、「それぞれが個別のパッケージに封止された複数のフォトディテクターを組み合わせて実現する従来手法に比べると、実装面積とコストを削減できる」としている。医療機器や産業機器、通信機器、セキュリティー機器などに向ける。

検出範囲が250n〜1750nmと広いフォトディテクター、Marktech Optoelectronicsの写真
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 MT03-041とMT03-047の違いはパッケージにある。MT03-041はTO-5パッケージに、MT03-047は表面実装型のセラミックパッケージに封止した。動作温度範囲はどちらも−40〜+100℃である。例えば、MT03-041のこのほかの特性は以下の通りである。Siフォトディテクターの波長検出範囲は250n〜1100nm。感度は、365nmの光に対して0.24A/W(標準値)、633nmの光に対して0.40A/W(標準値)。順方向電圧は0.8V(標準値)。暗電流は0.5nA(最大値)。InGaAsフォトディテクターの波長検出範囲は600n〜1750nm。感度は、1300nmの光に対して0.6A/W(標準値)。順方向電圧は0.6V(標準値)。暗電流は500nA(最大値)である。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。