オランダNexperia(ネクスペリア)は、GaN(窒化ガリウム) FET市場に参入すると発表した(ニュースリリース)。第1弾として、オン抵抗が60mΩ(ゲート-ソース間電圧が+10Vのときの最大値)と小さい+650V耐圧品「GAN063-650WSA」を発売する。パッケージはTO-247である。「ユーザーは、使い慣れたパッケージで、GaN FETの高い性能というメリットを享受できる」(同社)とする。電気自動車やデータセンター、情報通信インフラ機器、産業用オートメーション機器、ハイエンド電源などに向ける。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。

オン抵抗が60mΩと小さいGaN FET。Nexperiaのイメージ
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 Si(シリコン)基板の上にGaN FET素子を成長させる「GaN on Si」プロセスで製造した。ノーマリーオフ動作を実現している。最大ドレイン電流は連続時に34.5A、ピーク時に150Aである。ゲート-ソース間電圧は±20V。全ゲート電荷量は15nC(標準値)。入力容量は1000pF(標準値)。出力容量は130pF(標準値)。帰還容量は8pF(標準値)。ターンオン時の遅延時間は57ns(標準値)で、立ち上がり時間は10ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は88ns(標準値)で、立ち下がり時間は11ns(標準値)。逆回復電荷量は125nC(標準値)である。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。価格は明らかにしていない。