トレックス・セミコンダクターは、ゲート-ソース間電圧が+2.5Vのときのオン抵抗を5Ω(標準値)に削減した+30V耐圧のnチャネル型MOSFET「XP231N0201TR」を発売した(ニュースリリース)。パッケージは、外形寸法が2.9mm×2.4mm×1.15mmと小さい3端子SOT-23(TO-236)である。同社によると、「特徴は、オン抵抗が低いことに加えて、高速なスイッチング特性を有していることにある」という。ターンオン時の遅延時間は7ns(標準値)で、立ち上がり時間は5ns(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は20ns(標準値)で、立ち下がり時間は8ns(標準値)である。リレー回路やスイッチング回路などの用途に向ける。

オン抵抗を低減した30V耐圧のnチャネル型MOSFET。トレックス・セミコンダクターの写真
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 最大ドレイン電流は連続時に0.2Aで、パルス時に0.4Aである。ゲートのしきい値電圧は最小値が+0.7Vで、最大値が+1.8V。ゲートの漏れ電流は±10μA(最大値)に抑えた。全ゲート電荷量は0.18nC(標準値)と少ない。入力容量は6.5pF(標準値)。出力容量は2.5pF(標準値)。帰還容量は1.2pF(標準値)。静電気放電(ESD)対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵した。最大動作電圧は+150℃。すでに量産を始めている。参考単価は100円(税別)である。