米Vishay Intertechnology(ビシェイ)は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときのオン抵抗(RS1S2(on))が10mΩ(標準値)と小さいドレイン共通のデュアルMOSFET「SiSF20DN」を発売した(ニュースリリース)。耐圧は+60Vで、nチャネル型である。パッケージは、実装面積が3mm×3mmの8端子PowerPAK1212に封止した。同社によると、「業界で最も低いオン抵抗を実現した。同じ実装面積の競合他社品と比べるとオン抵抗は42.5%減、当社従来品と比べると89%減である」という。+24V入力の双方向DC-DC変換用途に向ける。具体的な応用先は、産業機器や、FA機器、電動工具、ドローン、モーター駆動機器、白物家電、ロボット、セキュリティー/監視カメラ、煙探知機などである。

オン抵抗が10mΩと小さいドレイン共通のデュアルMOSFET。Vishay Intertechnologyの写真
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 同社独自のMOSFETプロセス技術「TrenchFET Gen IV」で製造したMOSFETダイを2個、ドレイン共通接続で1つのパッケージに封止した。最大ドレイン電流(IS1S2)は連続時に52Aで、パルス時に100Aである。全ゲート電荷量は10.2nC(標準値)。入力容量は1290pF(標準値)。出力容量は340pF(標準値)。帰還容量は8pF(標準値)。ゲート抵抗は0.7Ω(標準値)。ターンオン時の遅延時間は10ns(標準値)で、立ち上がり時間は5ns(標準値)。一方、ターンオフ時については、遅延時間が15ns(標準値)、立ち下がり時間が5ns(標準値)である。動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。