資料の紹介

 電力用半導体スイッチング素子を利用して電力変換や制御を行うパワーエレクトロニクス製品。これまでは主にSi(シリコン)半導体を用いたパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)やIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)が使われてきたが、近年はSiに変わりSiC(炭化ケイ素)やGaN(窒化ガリウム)なども活用され始めている。

 SiCやGaNを使った新しいパワーエレクトロニクス製品には、さらなる高効率性が求められている。用途としては、太陽光発電システムや、エネルギー貯蔵システム、電気自動車(EV)用の充電ステーションなどが想定されており、より高い電圧や電流、温度への耐久性が求められている。

 本資料では、SiC半導体をベースとしたパワーエレクトロニクス製品について、その優位性を解説すると同時に、優れたエネルギー効率を実現するスイッチング電源開発に向けたヒントを紹介する。多くのアプリケーションにおいて、90%を上回る高い変換効率を実現し、耐久性や信頼性に優れた製品開発が可能になるとしている。

この先は日経クロステック Active会員の登録が必要です

日経クロステック Activeは、IT/製造/建設各分野にかかわる企業向け製品・サービスについて、選択や導入を支援する情報サイトです。製品・サービス情報、導入事例などのコンテンツを多数掲載しています。初めてご覧になる際には、会員登録(無料)をお願いいたします。