米Alpha and Omega Semiconductor社は、USB Type-C対応機器に搭載する昇降圧(バック-ブースト)型DC-DCコンバーター回路に向けたMOSFETモジュール「AONP36336」を発売した(ニュースリリース)。同社のMOSFETモジュールファミリー「XSPairFET」に含まれる製品だ。ハイサイドスイッチとローサイドスイッチを構成する2つの+30V耐圧のnチャネル型MOSFETを1つのパッケージに収めた。パッケージは、実装面積が3.3mm×3.3mmの10端子DFNである。USB Type-Cに対応するノートパソコンやUSBハブ、パワーバンク(モバイルバッテリー)などに向ける。

USB Type-C対応機器に搭載する昇降圧型DC-DCコンバーター回路に向けたMOSFETモジュール
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 ハイサイドスイッチに向けたMOSFETの最大ドレイン電流は21A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに4.7mΩ(最大値)、+4.5Vのときに5.7mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は8nC(標準値)。入力容量は1330pF(標準値)。出力容量は280pF(標準値)。帰還容量は32pF(標準値)。ゲート抵抗は0.8Ω(標準値)である。ローサイドスイッチに向けたMOSFETの最大ドレイン電流は18A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに5.8mΩ(最大値)、+4.5Vのときに7.3mΩ(標準値)。全ゲート電荷量は6nC(標準値)。入力容量は940pF(標準値)。出力容量は210pF(標準値)。帰還容量は30pF(標準値)。ゲート抵抗は1.8Ω(標準値)である。

 例えば、ノートパソコンに適用した場合、+15V入力、+8.4V/6A出力、スイッチング周波数が1MHzのときに、97%と高い変換効率が得られるという。さらに寄生インダクタンスを低く抑えたため、スイッチングノードにおけるリンギングの発生を低減できるとしている。ローサイドのMOSFETは、ソース端子をパッケージの放熱電極に直接接続した。こうして放熱特性を改善したという。

 動作接合部温度範囲は−55〜+150℃。すでに量産出荷を始めている。1000個購入時の米国での参考単価は0.60米ドルである。