伊仏合弁STMicroelectronics(STマイクロ)社は、高周波駆動に対応した+650V耐圧のIGBT「HB2シリーズ」を発売した(ニュースリリース)。同社最新の「トレンチ・フィールド・ストップ(TFS:Trench Field Stop)技術」を適用した。同社のIGBTポートフォリオ「STPOWER」に含まれる製品である。TFS技術を適用したため、コレクター-エミッター間の飽和電圧(VCE(sat))は1.55V(標準値)と低い。それと同時に、ゲート電荷量を削減したため、ゲート電流が少ないときに高速なスイッチング駆動(高周波駆動)が可能になるとしている。高周波駆動が求められる中耐圧用途に向ける。具体的には、力率改善(PFC:Power Factor Correction)用コンバーターや溶接機、無停電電源装置(UPS)、太陽光発電用インバーター装置などを挙げている。

高周波駆動に対応した650V耐圧IGBT
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 まずは、+100℃における連続時の最大コレクター電流が45Aの「STGWA40HP65FB2」を発売した。パルス時は120Aである。ゲートのしきい値電圧は+6V(標準値)。ゲート-エミッター間の漏れ電流は±250nA(最大値)。全ゲート電荷量は153nC(標準値)と少ない。入力容量は2300pF(標準値)。出力容量は122pF(標準値)。帰還容量は64pF(標準値)。ターンオフ時の遅延時間は125ns(標準値)。ターンオフ時のスイッチング損失は410μJ(標準値)。IGBTに対して並列に保護用ダイオードを内蔵した。パッケージはTO-247。1000個購入時の米国での参考単価は2.95米ドルからである。