トレックス・セミコンダクターは、オン抵抗が低いnチャネル型MOSFETを2製品発売した(ニュースリリース)。+30V耐圧の「XP236N2001TR」と、+60V耐圧の「XP264N0301TR」である+30V耐圧品のオン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+4.5Vでドレイン電流が1Aのときに110mΩ(最大値)。+60V耐圧品は、ゲート-ソース間電圧が+10Vでドレイン電流が100mAのときに1.6Ω(最大値)である。パッケージはどちらも、外形寸法が2.9mm×2.4mm×1.15mmと小さいSOT-23(TO-236)である。静電気対策用にゲート保護ダイオードを内蔵した。リレー回路やスイッチング回路などの用途に向ける。

オン抵抗が低いnチャネル型MOSFET
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 +30V耐圧品の最大ドレイン電流は2A。ゲートしきい値電圧は+0.7V(標準値)。全ゲート電荷量は4.1nC(標準値)。入力容量は230pF(標準値)。出力容量は50pF(標準値)。帰還容量は30pF(標準値)。ターンオン時の遅延時間は30ns(標準値)、ターンオフ時は350ns(標準値)。立ち上がり時間は90ns(標準値)、立ち下がり時間は230ns(標準値)である。

 +60V耐圧品の最大ドレイン電流は0.3A。ゲートしきい値電圧は+1.6V(標準値)。全ゲート電荷量は0.72nC(標準値)。入力容量は30pF(標準値)。出力容量は5pF(標準値)。帰還容量は2.8pF(標準値)。ターンオン時の遅延時間は9ns(標準値)、ターンオフ時は35ns(標準値)。立ち上がり時間は4ns(標準値)、立ち下がり時間は15ns(標準値)である。

 2製品どちらも、すでに量産を始めている。参考単価は100円(税別)である。