米pSemi社は、新しいRF CMOSプロセス技術「UltraCMOS 13」を開発した(ニュースリリース)。UltraCMOS技術は、RF用途に向けたSOI(Silicon On Insulator)プロセス技術である。基板にはサファイヤを使用する。このためSOS(Silicon On Sapphire)プロセス技術とも呼ばれる。300mm(12インチ)の基板に対応する。5G通信機器に向けた低雑音アンプ(LNA)やRFパワーアンプ、RFスイッチ、などを製造する予定だ。

pSemiがRF CMOSプロセス技術「UltraCMOS 13」を開発。pSemiのイメージ
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 UltraCMOS 13は、既存のプロセス技術である「UltraCMOS 12」と比べてRF性能を高めたことがある。例えば、UltraCMOS 12では、RON×COFF(オン抵抗×オフ容量)が80fsだったが、UltraCMOS 13でRON×COFFをさらに小さくしたという。また、対応可能な周波数帯域を決める最大発振周波数(Fmax)を高められるとしている。開発した製造プロセスをRFスイッチに適用すれば、オン時の挿入損失を削減できると同時に、オフ時のアイソレーション特性を高められる。RFパワーアンプに適用すれば、漏れ電流を大幅に削減できる。LNAに適用すれば、雑音指数(NF)の低減が可能になる。電源電圧は、アナログ回路部とデジタル回路部どちらも+1.2Vに最適化した。

 UltraCMOS 13で製造したRFデバイスの製品化時期や価格などは明らかにしていない。