オン抵抗が0.9mΩと低い車載向けパワーMOSFET
オン抵抗が0.9mΩと低い車載向けパワーMOSFET
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 オランダNexperia社は、オン抵抗が0.9mΩと低い車載機器向けパワーMOSFET「BUK9J0R9-40H」を発売した(ニュースリリース)。車載向けディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。スーパージャンクション接合技術を採用すると同時に、同社最新のパワーMOSFETプロセス技術「Trench 9」で製造することでオン抵抗を低減した。パッケージはLFPAK56Eである。同社によると、「D2PAKやD2PAK-7などの一般的なパッケージに比べると、プリント基板上の実装面積を最大で81%削減できる」としている。パワーステアリング用モーターの制御や、トランスミッションの制御、アンチロック・ブレーキ・システム(ABS)、ポンプの駆動、バッテリーの逆電圧保護、DC-DCコンバーターなどに向ける。

 nチャネル型のパワーMOSFETで、耐圧は+40Vである。最大ドレイン電流は220A。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに、最大値が前述の通り0.9mΩ、標準値が0.76mΩである。ゲート抵抗は1.04Ω(標準値)。全ゲート電荷量は120nC(標準値)。入力容量は8977pF(標準値)。出力容量は1549pF(標準値)。帰還容量は346pF(標準値)。立ち上がり時間は46.2ns(標準値)で、立ち下がり時間は32.6ns(標準値)である。動作接合部温度範囲は−55〜+175℃。価格は明らかにしていない。