米ウエスタンデジタル(Western Digital、以下WD)は2018年7月20日、96層3D NANDフラッシュメモリーの第2世代となる4ビット/セル(QLC:Quatro-Level Cell)品「BiCS4」を開発し、サンプル出荷を開始したと発表した(WDのニュースリリース)。今回のチップは、WDと東芝メモリによる共同開発品で、業界最大という1チップあたり容量1.33Tビットを実現する。2018年中の量産開始を予定しており、まずはサンディスクブランドから一般消費者向けに販売する。その後、リテールからエンタープライズSSDまで、幅広くBiCS4を適用する予定としている。

3D NANDフラッシュメモリー
3D NANDフラッシュメモリー
(出所:Western Digital)
[画像のクリックで拡大表示]

 同日、東芝メモリも96層3D NANDフラッシュメモリー「BiCS FLASH」のQLC製品を試作し、基本動作を確認したと発表した(東芝メモリのニュースリリース)。1.33Tビットのチップを1パッケージに16段積層することで、2.66Tバイトの容量を実現可能としている。

 こちらは2018年9月上旬からSSDメーカーやコントローラーメーカーに向けてサンプル出荷を開始し、2019年の量産開始を予定している。なお、東芝メモリは、今回の製品を組み込んだパッケージ試作品を2018年8月6日から9日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2018」で参考展示する。