韓国Samsung Electronics社は、QLC(Quad-Level Cell)のNANDフラッシュメモリーを使った民生向けSSDの量産を開始した(ニュースリリース)。4Tバイトの大容量品である。同社によれば、QLCフラッシュメモリーを使ったSSDは「民生向けでは業界初」だという。

今回の新製品。Samsungの写真
今回の新製品。Samsungの写真
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 Samsungは、2012年にTLC(Triple-Level Cell)フラッシュメモリー(製造技術は20nmクラス)を使ったSSD(500Gバイト品)を市場投入している。新製品は、第4世代V-NAND技術で製造する64層の1TビットQLC NANDフラッシュメモリーを32個使って、4Tバイトの大容量を実現した。ただし、TLCからQLCに変更すると、単位面積当たりのチップ容量が増して、アクセススピードが低下してしまう。「最悪の場合、スピードが半減する」(同社)という。

 そこで新製品では、QLCのメモリーチップをベースにしながら、SSDコントローラーはTLC向けを利用し、さらに同社の「TurboWrite」技術を採用することで、TLC NANDフラッシュメモリーベースのSSDと同等のアクセス性能を実現したという。新製品のシーケンシャル読み出し速度は540Mバイト/秒。シーケンシャル書き込み速度は520Mバイト/秒である。保証期間は3年とする。

 今後、同社はQLCフラッシュメモリーを使った民生用SSDのラインアップを充実させる。2.5型のフォームファクターで、4Tバイト品、2Tバイト品、1Tバイト品をそろえる予定。また同社は、2018年中に、第4世代V-NAND技術で製造するQLC NANDフラッシュメモリーを使った、M.2 NVMe SSDをエンタープライズ市場向けに発売する予定である。

SSD製品の多値化のあゆみ。Samsungの表
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