性能指数を約40%低減した650V耐圧のSJ型パワーMOSFET
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 東芝デバイス&ストレージは、ドレイン-ソース間オン抵抗(RDS(ON))とゲート-ドレイン間電荷量(Qgd)の積である性能指数(FOM:Figure Of Merit)を同社従来品(TK62N60X)に比べて約40%低減した+650V耐圧のスーパージャンクション(SJ)型パワーMOSFET「TK040N65Z」を発売した(ニュースリリース)。同社最新のスーパージャンクション型パワーMOSFETファミリーである「DTMOS VIシリーズ」の第一弾となる製品である。性能指数を低減したため、例えば2.5kW出力の力率改善(PFC:Power Factor Correction)回路に適用した場合、変換効率を0.36ポイント高められるという。データセンターに設置するサーバーの電源ユニットや、太陽光発電用インバーター装置(パワーコンディショナー)、無停電電源装置(UPS)などに向ける。

 nチャネル品である。最大ドレイン電流は連続(DC)時に57Aである。ドレイン-ソース間オン抵抗(RDS(ON))は、ゲート-ソース間電圧が+10Vのときに40mΩ(最大値)。ゲート電荷量(Qg)は105nC(標準値)。ゲート-ドレイン間電荷量(Qgd)は27nC(標準値)。入力容量は6250pF(標準値)。出力容量は140pF(標準値)。帰還容量は4pF(標準値)。ゲート抵抗は2Ω(標準値)である。パッケージはTO-247。すでに量産出荷を始めている。価格は明らかにしていない。

 今後同社は、市場の動向に合わせて、「DTMOS VIシリーズ」のラインナップ拡充を推進するとしている。