「業界初」の28GHz対応GaNフロントエンドモジュール
「業界初」の28GHz対応GaNフロントエンドモジュール
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 米Qorvo社は、28GHz対応のGaN(窒化ガリウム)フロントエンドモジュール(FEM)「QPF4001」を発売した(ニュースリリース)。線型性の高い低雑音アンプ(LNA)や、送受信切り替え用RFスイッチ、多段のRFパワーアンプ(PA)を1チップに集積したMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)である。RFスイッチにアンテナを接続して使う。アンテナで受信した信号は低雑音アンプに送られる。送信信号はパワーアンプで増幅した後にRFスイッチを通ってアンテナに送られる。5G(第5世代移動通信)システムに向けた28 GHz帯利用のフェーズドアレー無線通信基地局などに向ける。同社によると、「28GHz対応のGaNフロントエンドモジュールの発売は業界初」という。
 
 0.15μmのGaN on SiC プロセス技術で製造した。低雑音アンプとパワーアンプはどちらも3段構成である。対応する周波数範囲は26G〜30GHz。受信経路の雑音指数(NF)は3.5dB。小信号利得は17dB。飽和電力は17dBmである。送信経路の小信号利得は27dV。飽和電力(連続時)は31dBm。隣接チャネル電力漏洩比(ACPR)は35dBc(平均出力が23dBmのとき)。線形性能(リニアリティー)は3%EVM(平均出力が23dBmのとき)。電力付加効率(PAE)は8%が得られるという(平均出力が23dBmのとき)。パッケージは、内部に空洞共振器を設けた表面実装型である。外形寸法は5.0mm×4.0mm×1.8mm。すでにサンプル出荷を始めている。価格は明らかにしていない。