現在主流のパワートランジスタであるIGBT（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）は、これまで高電圧、大電流、あるいは高速化の方向に進んできた。そしてIGBTはデバイスおよびプロセスのパラメータを調整することで、スイッチング速度やソフトネス性と制御性、導通損失、短絡耐量とパルス電流耐量を幅広く調整できるため、様々な案件に対応できるようになった。この点、MOSFETやバイポーラトランジスタとは違う。
本資料は、IGBT構造の変遷を解説したあと、応用機器ごとにIGBTに適した回路構成を解説している。応用例として取り上げたのは、溶接用のインバーターとIHクッキングヒータシステムのハーフブリッジ、UPS（無停電電源）とソーラーシステム、モーター駆動向けのハーフブリッジ、マルチ電圧レベルのハーフブリッジコンバーターなどである。これらの応用機器に関する特性と課題についても述べており、機器を設計するうえで注意すべきことが明確になる。
産業用Ethernetの規格「10BASE-T1L」について、その基本と特徴を分かりやすく丁寧に解説する。従来の産業用ネットワークからの置き換えを考えている企業にとって、タイムリーで有用な情報となるだろう。
ウイルス検査の新しい検査方法として、バイオセンサーを用いる手法が注目されている。短時間・高精度のウイルス検査を可能にするバイオセンサーと、その実用化への取り組みに必要な半導体技術について紹介する。
リアルタイム音声処理に、オーディオ用DSPとSoCのどちらを採用するのが良いか。そのために検討すべき遅延や拡張性など6つの側面から検証した内容について、具体的な数値や図を使いながら解説する。
CAE環境は、企業の研究開発の成果や設計品質を大きく左右する。ハイエンドGPUと64コアCPUを搭載したワークステーションが、CAE解析によるシミュレーションのニーズに対してどれだけ応えらるのかを検証する。
走査電子顕微鏡（SEM）には、試料の深くくぼんだ箇所や底面の様子を観察しにくいという課題があった。試料のコーティング処理など準備にも手間がかかった。こうした課題を改善した最新SEMを紹介する。