STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、最新のスーパージャンクション技術を採用し、高速リカバリ・ボディ・ダイオードを内蔵した600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh™ DM6」を発表しました。同製品は、フル / ハーフ・ブリッジ・トポロジ、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)位相シフト・コンバータのほか、堅牢なダイオードを使用してダイナミックdV/dtへの対応が求められるアプリケーションやトポロジにおいて、優れた性能を実現します。

MDmesh DM6は、STの先進的なキャリア・ライフタイム制御技術を活用することにより、逆回復時間(trr)を短縮してフリーホイール後の逆回復時に発生するダイオードの電力損失を最小限に抑えます。緩やかな逆回復特性は、信頼性を高めるように最適化されています。また、ゲート電荷(Qg)とオン抵抗(RDS(ON))が非常に低く、容量プロファイルが軽負荷時の動作に特化されているため、より高い動作周波数、高効率化、温度管理の簡略化、EMI低減が可能になります。

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