STマイクロエレクトロニクス(NYSE:STM、以下ST)は、600V耐圧Nチャネル・パワーMOSFETおよびIGBT向けの3相ゲート・ドライバSTDRIVE601を発表しました。同製品は、-100Vまでの負電圧スパイクに耐える最先端の堅牢性と、クラス最高のロジック入力の応答速度(85ns)を実現します。

STDRIVE601は、迅速な保護を可能にするスマート・シャットダウン回路を持ち、過負荷や短絡を検知すると即座にゲート・ドライバの出力をオフにします。オフ状態の持続時間は外付けのキャパシタと抵抗の値によって設定できます。必要に応じてC-R値の大きな部品も使用でき、シャットダウンの応答時間に影響を与えることなく必要なオフ持続時間を設定することが可能です。また、アクティブ・ローの異常出力ピンも搭載されています。

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