これらの新世代の200 VのeGaN(r) FETは、48 V出力の同期整流、D級オーディオ、太陽光発電用マイクロインバータやオプティマイザ、マルチレベルの高電圧AC / DCコンバータに最適です。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン(eGaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社(EPC:Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月20日、耐圧200 VのeGaN FETである「EPC2215」と「EPC2207」を製品化し、既製の窒化ガリウム・トランジスタのコストを低減すると同時に、性能を向上させたと発表しました。これらの最先端デバイスの用途には、D級オーディオ、同期整流、太陽光発電用MPPT(最大電力点追跡)、DC-DCコンバータ(ハードスイッチおよび共振)、マルチレベル高電圧コンバータなどがあります。

EPC2215(オン抵抗8 mΩ、パルス電流162 A)とEPC2207(22 mΩ、パルス電流54 A)は、前世代の200 VのeGaNデバイスに比べて大きさが約半分で、性能が2倍になっています。ベンチマークのシリコン・デバイスに対する性能の優位性は、さらに高くなります。 EPC2215は、オン抵抗が33%低くなっていますが、面積は1/15です。ゲート電荷(QG)は、新しい技術のシリコンMOSFETのベンチマークの1/10であり、すべてのeGaN FETと同様に逆回復電荷(QRR)がないため、歪みの小さいD級オーディオ・アンプに加えて、より高効率な同期整流器やモーター駆動回路を実現できます。

EPCの共同創立者でCEO(最高経営責任者)のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は、「この最新世代のeGaN FETは、小型かつ熱効率の高い大きさで、従来のMOSFETに匹敵する価格で、より高い性能が得られます。成熟したパワーMOSFETからGaNデバイスへの置き換えは必然であり、日々明らかになっています」と語っています。

EPCは、米テキサス大学オースティン校のSemiconductor Power Electronics Center(SPEC)と協力して、新しい200 VのデバイスであるEPC2215を使って、データセンターのアプリケーションに適した400 V、2.5 kW対応のeGaN FETベースの4レベル・フライング・キャパシタ型マルチレベル・ブリッジレス・トーテムポール整流器を開発しました。 テキサス大学オースティン校のAlex Huang教授は、「eGaN FETの優れた特性によって、このコンバータは高電力密度、超高効率、低高調波歪みを実現できました」とコメントしています。

米国での参考価格と入手方法

各製品と関連する開発基板やリファレンス・デザイン・ボードの価格はニュースリリースページ内の表をご覧下さい。 すべての製品と基板は、米Digi-Key社のウエブサイト(http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en)から入手できます。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン (eGaN)FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、自動車、パワー・インバータ、リモート・センシング技術(LiDAR)、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。日本語ウエブサイトはwww.epc-co.com/epc/jp/です。

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です

報道関係の問い合わせ先

Efficient Power Conversion:Winnie Wong (winnie.wong@epc-co.com)