東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチに適した-40V耐圧PチャネルMOSFET「SSM6J808R」と100 V耐圧NチャネルMOSFET「SSM6K819R」の2品種を製品化し、ラインアップを拡充しました。

新製品は、最新プロセス[注1]の採用により、業界トップクラス[注2]の低オン抵抗を実現し、機器の低消費電力化に貢献します。また、小型TSOP6Fパッケージを使用することにより、同等許容損失のSOP-8パッケージと比べて実装面積を約70%削減しました。これにより実装面積の小型化に貢献します。
さらにAEC-Q101に適合しており、電源ラインの保護や車載ヘッドランプの点灯制御用スイッチなど、車載を含むさまざまな用途で使用可能です。

[注1] 2019年10月時点
[注2] TSOP6Fクラスパッケージ、同耐圧の製品において、当社調べ (2019年10月時点) によるものです。