当社は、電源PFCの省電力化と高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650 V/12 Aのショットキーバリアダイオード (SBD) 「TRS12A65F」と「TRS12E65F」を製品化しました。2種のパッケージで、絶縁タイプTO-220F-2LのTRS12A65Fと非絶縁タイプTO-220-2LのTRS12E65Fです。また、機器の大電力化に対応するため、直流順電流12 Aをラインアップに追加しました。

新製品は、当社第2世代の改良型JBS (Junction Barrier controlled Schottky) 構造を使用しており、最大97 A[注1]の高い非繰り返しピーク順電流と最大1.45 Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj[注2]) を第1世代と比べて約67 %[注3]に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。また、SiC SBDは、Si FRD[注4]と比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流で動作させることができます。さらに、低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕を持たせることができます。

当社は、今後もラインアップを拡充し、通信機器、サーバー、インバーターなどの高効率化、小型化に貢献していきます。

[注1] TRS12E65Fの場合
[注2] Qcj : 接合容量の逆電圧0.1 V~400 Vの総電荷量。当社Cj-VRカーブ (2019年11月時点) から計算で求めたものです。
[注3] TRS12E65Cとの比較
[注4] FRD (Fast Recovery Diode)

●特⻑

•非繰り返しピーク順電流が大きい :
IFSM=92 A (TRS12A65F)
IFSM=97 A (TRS12E65F)
•逆電流が小さい : IR=0.6 μA (typ.)
•2種のパッケージ :
絶縁タイプ TO-220F-2Lパッケージ (TRS12A65F)
非絶縁タイプ TO-220-2Lパッケージ (TRS12E65F)

●用途

•産業機器の電源 (通信基地局、サーバー、電気自動車給電設備、レーザー加工機など)
•民生機器の電源 (有機EL-TV、オーディオアンプ、プロジェクター、複写機など)

東芝ショットキーバリアダイオード
東芝ショットキーバリアダイオード