ANSYSのマルチフィジックスソリューションがSamsungの最新FinFET技術に適用可能に

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ピッツバーグ、2019年5月13日 – ANSYSのマルチフィジックスソリューションが5nm Low Power Early(5LPE)プロセス技術に対し Samsung Foundry社から新たに認証され、Samsung社と ANSYS (NASDAQ: ANSS) のお客様は次世代の5G、AI、ハイパフォーマンスコンピューティング(HPC)および自動車用アプリケーションでの低電力化、高性能化への要求に対応できるようになります。

FinFETの小型化にともない消費電力、熱および信頼性が複雑に相互に影響を及ぼすことにより、エンジニアはマルチフィジックスの課題に直面しています。これらの課題は、設計収束に影響を与え、プロジェクトのスケジュールを左右し、FinFETの性能が損なわれます。両社のお客様は、これまでの7nmと比較するとより大きなエリアスケーリングと超低電力の利点を生かした5LPEプロセス技術に対するANSYSのマルチフィジックスソリューションを活用し、これらの課題を克服し革新を加速できるようになります。

Samsung社は、最新の5LPEプロセス技術に対してANSYS(r) RedHawk™ファミリーとANSYS(r) Totem™マルチフィジックスソリューションを認証しました。この認証には、エクストラクション、パワーインテグリティおよび信頼性、シグナルおよびパワーグリッドエレクトロマイグレーション(EM)が含まれています。最新のノードに対するマルチフィジックスの必要性をサポートするために、この認証には自己加熱を伴う熱解析とサインオフおよびStatistical EM Budget(SEB)も含まれています。

「この認証により両社のお客様は5G、AI、HPCおよび自動車用アプリケーションにおいて厳しい消費電力、パフォーマンス、面積(エリア)、信頼性の要求事項を満たすことができるようになります。ANSYSのソリューションは先進のFinFET設計における複雑なマルチフィジックスの課題を解決し、私たちのお客様の半導体設計を成功に導くことができます。」(Samsung Electronics社、設計技術チームVice President、Jung Yun Choi氏)

「サブ7nmプロセスでのデザインマージンが小さくなるにつれて、半導体故障の原因となる物理的、電気的および熱的な影響を正確にモデル化することなしにガードバンドを設定することが非常に難しくなっています。マルチフィジックスシミュレーションのリーダーとして私たちは、両社のお客様がクラス最高水準のソリューションを活用して厳しい消費電力、熱および信頼性の課題を克服し、半導体設計を成功させる支援をします。」(ANSYS、Strategy部門Vice President、Vic Kulkarni)