資料の紹介

 LEDなどに使われている化合物半導体は、シリコン(Si)半導体にはない独自の優れた特性を持つ。シリコンより高電圧、高温への耐性を備え、高周波数で動作する。このような特徴から、車載用システムや電気自動車(EV)など、厳しい要件が求められる用途への適用が期待されている。

 化合物半導体には、「材料が高価」「製造が難しい」「高いゲート駆動電圧を必要とする」などの課題があった。しかし、近年、比較的入手が容易な材料への移行や、化合物半導体にも対応可能なゲート駆動用ICの開発が進み、課題は解消されつつある。

 本資料では、車載用電源回路や電源アプリケーションに最適な化合物半導体として、窒化ガリウム(GaN)トランジスタとシリコンカーバイド(SiC)トランジスタの特性を解説する。さらに、これらを実装する製品の傾向について紹介している。ハイブリッド車(HEV)や電気自動車、各種車載システムの設計において、電子部品を選定する際の意思決定にも役立つ資料となっている。

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