資料の紹介

　5G、AI（人工知能）、ビッグデータ、自動運転車などの産業利用が加速している。それを支えているのが、進化したエレクトロニクスと半導体のパッケージング技術だ。より広い帯域幅と低コスト化を求める消費者ニーズに応えている。しかし、技術の進化に伴い、新たな課題が発生している。3D化して複雑になったパッケージ構造が、品質問題のリスクになっているのだ。不具合が発生しやすい領域は、精密な3D構造の内側にあることが多い。従来の検査方法では、発見が難しくなっている。

　また、次々に開発される新たな機能性材料を理解し、採用していかなければ、市場での競争力を維持できない。材料を異なる長さやスケール、特性、プロセスで理解するため、構造をサブナノメートルレベルで解析できる新たなワークフローが求められている。

　本特集では、次世代のエレクトロニクスの不良解析と、それに必要なプロセスについて解説する。3Dパッケージ内に潜むサブナノメートルレベルの不良を、非破壊的な方法で効果的に可視化できる3D X線顕微鏡（XRM）を紹介し、その特徴と活用方法を披露する。また、この顕微鏡を使って材料をマルチスケールで解析する「大型試料解析ワークフロー」の4つのプロセスを明らかにし、実際に不良部位を解析した事例を写真付きで紹介する。