資料の紹介
CPU、GPU、ASICといった低電圧・大電流の半導体部品へ電源を供給する多相DC-DCデバイスに、トランスインダクター電圧レギュレーター（TLVR）が広く使われるようになってきた。理由は、TLVRが優れたトランジェント（過渡応答）性能を実現し、柔軟な設計とレイアウトを可能にするからである。
しかし、このTLVRには欠点もある。例えば、電源の性能に悪影響を及ぼす電流リップルが、TLVRでは他の方式より大きくなる傾向がある。TLVRのこうした特徴を理解しておくことで、より信頼性が高く高効率な回路設計が可能になる。
本資料では、TLVRを電源回路の設計に採用するメリットと、性能のトレードオフ問題について詳しく解説する。TLVRとノッチ結合インダクター（NCL）、従来型のディスクリートインダクター（DL）のそれぞれにおいて、トランジェント性能と電流リップル、それらを踏まえたシステム性能を比較した試験結果を紹介する。TLVRと同等のトランジェント性能を実現しながら、電流リップルも抑制するNCLの例も報告している。
